Закон Вегарда — апроксимированное эмпирическое правило, которое гласит, что существует линейная зависимость при постоянной температуре между свойствами кристаллической решётки сплава и концентрацией отдельных его элементов[1][2].
Таким образом, параметры кристаллической решётки () твёрдого раствора (сплава) материалов с одинаковой структурой решётки, могут быть найдены путём линейной интерполяции между параметрами решётки исходных соединений, например для твёрдых растворов SixGe1-x и InPxAs1-x:
.
Можно также расширить это соотношение для определения энергии полупроводниковой группы. Используя, как и в предыдущем случае, InPxAs1-x, можно найти выражение, которое описывает зависимость энергии этой группы от соотношение её составляющих и параметра :
Закон Вегарда.