Басиев, Тасолтан Тазретович

Тасолтан Тазретович Басиев
Дата рождения:

23 сентября 1947

Место рождения:

Москва, РСФСР, СССР

Дата смерти:

26 февраля 2012 (64 года)

Место смерти:

Москва, Россия

Страна:

 СССР →
 Российская Федерация

Научная сфера:

фотоника

Учёная степень:

доктор физико-математических наук

Учёное звание:

член-корреспондент РАН

Альма-матер:

Московский энергетический институт

Тасолтан Тазретович Басиев (осет. Баситы Тазреты фырт Тасолтан; 23 сентября 1947, Москва, РСФСР — 26 февраля 2012, Москва, Российская Федерация) — советский и российский учёный в области создания материалов фотоники, член-корреспондент РАН.

Содержание

Биография

В 1972 г. окончил Московский энергетический институт. В 1984 г. защитил докторскую диссертацию «Селективная лазерная спектроскопия активированных кристаллов и стекол». В 1991 г. ему было присвоено звание профессора. В 2008 г. избран членом-корреспондентом РАН по Отделению нанотехнологий и информационных технологий РАН (специальность «Нанотехнологии»).

В 1972—1984 гг. — в Физическом институте им. П. Н. Лебедева АН СССР. С 1984 г. он являлся заведующим Лабораторией лазерной спектроскопии твердого тела Института общей физики (ИОФАН) АН СССР — затем РАН, а с 1999 г. — заместитель директора Научного центра лазерных материалов и технологий ИОФАН. Одновременно — научный руководитель Учебно-научного центра ИОФАН-КГТА (Ковровская государственная технологическая академия).

Член Комиссии РАН по премиям для молодых ученых РФ, Научного совета РАН по спектроскопии атомов и молекул, редколлегий журналов «Optical Materials» и «Квантовая электроника», диссертационного докторского совета. Он избран Erskine Fellow Университета Кантербери (Новая Зеландия) и Fellow Американского Оптического общества. Под его руководством защищено 16 кандидатских и 2 докторских диссертации. Автор и соавтор 412 научных работ, из них 36 обзоров, 4 монографий и 28 патентов.

Похоронен в Московской области, в Ленинском районе, д. Ямонтово, на Ивановском кладбище.

Научная деятельность

Создатель фторидной лазерной нанокерамики, новых лазерных монокристаллов; созданы твердотельные лазеры с энергией свыше 100 Дж (100 нс), пиковой мощностью более 200 ГВт (500 фс); разработал новых ВКР кристаллов и ВКР лазеров. Также:

  • предложил использовать нанокластеры (Nd3±Fi-)2, (Nd3±Fi-)4 и (Nd3±Fi-)6 в кристаллах CaF2, SrF2 и CdF2 в качестве логических элементов с перепутанными квантовыми состояниями для обработки информации,
  • установил квадрупольный механизм когерентного перепутывания в нанокластерах и ослабленная декогерентизация; разработаны методы нанофотоники РЗ ионов в лазерных кристаллах и стеклах,
  • открыл явление кооперативной "down"конверсии с квантовым выходом 200 %,
  • изучал возможности управления излучательными характеристиками нанокристаллов, что важно при создании двухфазных лазерных сред.

Награды и звания

Лауреат премии Ленинского комсомола, Международной премии АН СССР-ВАН, премии МАИК НАУКА.

Источники

  • http://www.ras.ru/win/db/show_per.asp?P=.id-60506.ln-ru.dl-.pr-inf.uk-0
  • http://portalnano.ru/read/iInfrastructure/russia/person/basiev

Басиев, Тасолтан Тазретович.

© 2021–2023 sud-mal.ru, Россия, Барнаул, ул. Денисова 68, +7 (3852) 74-95-52